技術(shù)編號(hào)：12473213
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種基于自旋霍爾效應(yīng)磁隧道結(jié)的非易失性鎖存單元，用于減小鎖存單元的靜態(tài)功耗，同時(shí)提高數(shù)據(jù)可靠性，屬于非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)基于半導(dǎo)體晶體管的傳統(tǒng)存儲(chǔ)器，如靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)，屬于易失性存儲(chǔ)器。其基本單元結(jié)構(gòu)如圖1所示，通過六個(gè)晶體管形成鎖存結(jié)構(gòu)，從而能夠存儲(chǔ)一比特?cái)?shù)據(jù)信息。這種鎖存單元的基本原理是通過調(diào)控電子的數(shù)量來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)信息，但是當(dāng)電路掉電時(shí)，電子會(huì)流失，因此存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息會(huì)丟失。這類鎖存單元的缺點(diǎn)主要有兩個(gè)，首先，當(dāng)電路意外掉電時(shí)，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息會(huì)丟失，因此影響...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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