技術(shù)編號：12474198
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體上涉及一種晶體管器件，尤其涉及一種橫向MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。背景技術(shù)晶體管(譬如MOSFET)被廣泛應(yīng)用在汽車、工業(yè)或消費(fèi)者電子應(yīng)用中，以用來驅(qū)動(dòng)負(fù)載、轉(zhuǎn)換功率等等。這些晶體管(通常被稱為功率晶體管)具有不同的電壓阻斷能力。“電壓阻斷能力”限定了晶體管在其截止?fàn)顟B(tài)(關(guān)斷時(shí))能夠承受的最大電壓電平。在截止?fàn)顟B(tài)，當(dāng)比該最大電壓電平更高的電平的電壓被施加到晶體管時(shí)，晶體管的內(nèi)部pn結(jié)將發(fā)生雪崩擊穿。需要設(shè)計(jì)一種能夠承受重復(fù)的雪崩擊穿而不被破壞或不會(huì)遭受退化效應(yīng)(例如，...
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