技術編號：12477960
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。快反向恢復SJ-MOS的方法及其器件結構技術領域本發(fā)明屬于半導體功率器件技術領域，具體涉及一種快反向恢復SJ-MOS的方法及其器件結構。背景技術SJ-MOS的寄生體二極管從正向?qū)ǖ椒聪蚪刂剐枰欢ǖ臅r間，因為正向?qū)〞r，由于多子擴散在pn結區(qū)內(nèi)存儲大量少子電荷，此時如果突然加上一個反向偏置，則由正向?qū)〞r產(chǎn)生的存儲電荷就會形成反向電流，而將這些反向恢復電荷完全抽出或復合掉需要一定的時間，這一過程稱為反向恢復過程，在這一過程中所用的時間稱為反向恢復時間trr。低的反向恢復時間可以加快MOS管的關...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。