技術(shù)編號：12477973
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種用于套筒天線的AlAs/Ge/AlAs固態(tài)等離子體PiN二極管串的制備方法。背景技術(shù)目前，國內(nèi)外應(yīng)用于等離子可重構(gòu)天線的PiN二極管采用的材料均為體硅材料，此材料存在本征區(qū)載流子遷移率較低問題，影響PiN二極管本征區(qū)載流子濃度，進而影響其固態(tài)等離子體濃度；并且該結(jié)構(gòu)的P區(qū)與N區(qū)大多采用注入工藝形成，此方法要求注入劑量和能量較大，對設(shè)備要求高，且與現(xiàn)有工藝不兼容；而采用擴散工藝，雖結(jié)深較深，但同時P區(qū)與N區(qū)的面積較大，集成度低，摻雜濃度不均勻，影響PiN二極...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。