技術(shù)編號：12478035
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于半導(dǎo)體裝置及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種高壓半導(dǎo)體裝置及其制造方法。背景技術(shù)高壓半導(dǎo)體裝置技術(shù)適用于高電壓與高功率的集成電路領(lǐng)域。傳統(tǒng)高壓半導(dǎo)體裝置可例如為垂直式擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(verticallydiffusedmetaloxidesemiconductor，VDMOS)晶體管及水平擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(laterallydiffusedmetaloxidesemiconductor，LDMOS)晶體管。高壓裝置技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)在于符合成本效益，且易相容于其它工藝，已廣泛應(yīng)用于...
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