技術(shù)編號(hào)：12478452
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體涉及一種集成肖特基二極管的SiCJFET器件及其制作方法。背景技術(shù)相比于SiCMOSFET受柵介質(zhì)性能和可靠性的影響，SiCJFET因無MOS柵結(jié)構(gòu)，具有更高的魯棒性。已經(jīng)有報(bào)道顯示SiCJFET在500℃的結(jié)溫下能夠正常工作10000小時(shí)。這是目前SiC甚至是寬禁帶半導(dǎo)體功率器件在高溫應(yīng)用方面的最高報(bào)道，體現(xiàn)了SiC器件極其優(yōu)越的耐高溫性能。相比之下，MOSFET的高溫應(yīng)用目前還沒有超過250℃。目前，比較常見的JFET有兩種，橫向溝道的LJFET和垂直溝道的VJFE...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。