技術(shù)編號：12478719
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種具有陽極短路槽的RB-IGBT技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬于功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種具有陽極短路槽的RB-IGBT。背景技術(shù)雙向開關(guān)是AC-AC矩陣變換器的核心，由兩個IGBT反并聯(lián)形成，雙向控制需要IGBT具有反向阻斷能力。業(yè)界的一般做法是將IGBT串聯(lián)二極管來達(dá)到反向耐壓的作用。而RB-IGBT本身具有反向阻斷能力，正反向均可耐壓。兩個RB-IGBT反并聯(lián)即可構(gòu)成一個雙向開關(guān)，與傳統(tǒng)的做法相比，在功率相當(dāng)?shù)那闆r下，由RB-IGBT構(gòu)成的雙向開關(guān)不需要額外的快恢復(fù)二極管，導(dǎo)通損耗較低，并且可以減小...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。