技術(shù)編號(hào)：12478746
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種砷化鎵PMOS器件界面結(jié)構(gòu)，應(yīng)用于高性能III-V族半導(dǎo)體CMOS技術(shù)。背景技術(shù)Ⅲ-Ⅴ化合物半導(dǎo)體材料相對(duì)硅材料而言，具有高載流子遷移率、大的禁帶寬度等優(yōu)點(diǎn)，而且在熱學(xué)、光學(xué)和電磁學(xué)等方面都有很好的特性。缺乏與NMOS器件相匹配的PMOS器件一直是III-V族半導(dǎo)體在大規(guī)模CMOS集成電路中的應(yīng)用的主要障礙之一。最新研究報(bào)道表明：在砷化鎵半導(dǎo)體表面，直接采用原子層沉積(ALD)以及分子束外延(MBE)技術(shù)沉積高k柵介質(zhì)材料已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了器件質(zhì)量的的M...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。