技術編號：12478887
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于半導體器件技術領域，具體涉及一種探測范圍可調的IV族紅外光電探測器及其制備方法。背景技術光電探測器通常在低溫環(huán)境下工作，其對環(huán)境溫度非常敏感。溫度較小的增加將引起暗電流的急劇增大，影響探測器的應用。故一般需要對其進行冷卻，以提高準確度。高質量Ge單晶材料作為高靈敏近紅外光電探測器的主要材料已經有很多年了，但是其對環(huán)境要求十分苛刻，對于這樣的探測器一般需要冷卻到77K以減小暗電流，這就使得其非常昂貴并且限制了其使用?，F今常用的近紅外光電探測器為III-V族材料光電探測器，III-V族和硅...
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