技術編號：12479383
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種以鈣鈦礦型材料和聚吡咯導電高分子材料作為空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽電池及制備方法，屬于新能源和新材料領域。技術背景鈣鈦礦太陽電池通常是由透明導電玻璃、致密層、鈣鈦礦光吸收層、空穴傳輸層、金屬背電極五部分組成。空穴傳輸層的厚度一般為0-150nm，無空穴傳輸層的鈣鈦礦太陽電池的光電轉換效率通常比較低，空穴傳輸層的作用包括：（1）收集來自鈣鈦礦光吸收層注入的空穴，使鈣鈦礦光吸收層電子-空穴對的電荷分離；（2）空穴傳輸層插入鈣鈦礦光吸收層和金屬背電極之間可以改善肖特基(Schottky)接觸...
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