技術(shù)編號：12513620
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。在PSTTMMTJ結(jié)構(gòu)中的磁性擴散阻擋層和過濾層技術(shù)領(lǐng)域存儲器設(shè)備，且特別是自旋轉(zhuǎn)移力矩存儲器(STTM)設(shè)備。背景技術(shù)在集成電路中的部件的按比例調(diào)整是支持日益增長的半導(dǎo)體工業(yè)的驅(qū)動力。按比例調(diào)整到越來越小的部件使在半導(dǎo)體芯片的有限占有區(qū)上的功能單元的增加的密度成為可能。例如，縮小晶體管尺寸允許在芯片上的增加數(shù)量的存儲器設(shè)備的合并，導(dǎo)致具有增加的能力的產(chǎn)品的制造。然而，對越來越多的能力的推動不是沒有問題。優(yōu)化每個器件的性能的必要性變得日益重要。自旋力矩設(shè)備的操作基于自旋轉(zhuǎn)移扭矩的現(xiàn)象。如果電流穿...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)無源代碼，用于學(xué)習(xí)原理，如您想要源代碼請勿下載。