技術(shù)編號：12537737
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開大體上涉及半導(dǎo)體器件，并且尤其涉及具有至半導(dǎo)體層的歐姆接觸件的半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)開發(fā)至半導(dǎo)體層的良好的歐姆接觸件對于相應(yīng)的半導(dǎo)體器件的操作、穩(wěn)定性和壽命來說是重要的。采用不同的方法來形成歐姆接觸件。一種能夠產(chǎn)生至半導(dǎo)體層的良好的歐姆接觸件的方法使用退火過程。例如，鈦/鋁(Ti/Al)經(jīng)常被用作至n摻雜氮化物半導(dǎo)體層的歐姆接觸件。在這種情況下，氮化鈦在下面的氮化鋁鎵/氮化鎵(AlGaN/GaN)結(jié)構(gòu)中造成了N個空位，其有效地?fù)诫s了該材料。經(jīng)常地，還添加鎳(Ni)以阻止Ti/Al的擴散和氧化...
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