技術(shù)編號：12541887
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種在基片背面形成標(biāo)記的方法。背景技術(shù)微機(jī)電系統(tǒng)(Micro-Electronic-Mechanical-System，MEMS)的制造過程中，通常需要用到熔融鍵合(fusionbonding)和共晶鍵合(EutecticBonding)。在鍵合結(jié)束后，由于光刻對準(zhǔn)標(biāo)記往往位于鍵合界面，所以鍵合后的晶圓表面沒有任何的對準(zhǔn)標(biāo)記或晶圓標(biāo)記(waferID)，在后續(xù)的工藝，例如減薄、開窗、封裝、劃片等工藝中，必須使用雙面對準(zhǔn)光刻機(jī)進(jìn)行對準(zhǔn)操作，將對準(zhǔn)標(biāo)記轉(zhuǎn)移到鍵合后晶...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。