技術(shù)編號(hào)：12603599
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)涉及一種二極管、半導(dǎo)體器件和MOSFET。背景技術(shù)已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一種通過(guò)改善PN二極管的反向恢復(fù)特性來(lái)降低開(kāi)關(guān)損耗的技術(shù)。公開(kāi)號(hào)為2003-163357的日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)了一種MPS二極管，在該二極管中PIN二極管與肖特基勢(shì)壘二極管結(jié)合。在公開(kāi)號(hào)為2003-163357的日本專(zhuān)利申請(qǐng)所公開(kāi)的技術(shù)中，通過(guò)將p陽(yáng)極區(qū)域的尺寸減小至透穿(reach-through)限值來(lái)抑制從p陽(yáng)極區(qū)域向n-漂移區(qū)注入空穴，并且從而降低了開(kāi)關(guān)損耗。公開(kāi)號(hào)為2000-323488的日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)了一種PIN二極管，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。