技術(shù)編號：12612764
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種淺溝槽隔離刻蝕設(shè)備之冷卻裝置及冷卻方法。背景技術(shù)隨著集成電路技術(shù)的不斷進步，追求高速度、高器件密度、低功耗以及低成本的芯片已成為超大規(guī)模集成電路制造的趨勢。集成電路技術(shù)進入超大規(guī)模集成電路時代，集成電路的工藝尺寸向著28nm以及更小尺寸的結(jié)構(gòu)發(fā)展，同時也對晶圓制造工藝提出了更高更細致的技術(shù)要求，對于缺陷的管控也是越來越嚴。目前，半導(dǎo)體業(yè)界大家普遍關(guān)注的一直是晶圓刻蝕過程前和刻蝕過程中產(chǎn)生的刻蝕缺陷問題，而對于晶圓刻蝕完成之后的關(guān)注較少，晶圓只會進入一個結(jié)...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。