技術(shù)編號(hào)：12614183
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。基于MEMS微結(jié)構(gòu)的紅外增強(qiáng)Si-PIN探測(cè)器及其制備方法技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬于光電探測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域，涉及到光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)，具體涉及一種基于MEMS微結(jié)構(gòu)的紅外增強(qiáng)Si-PIN探測(cè)器及其制備方法。背景技術(shù)光電探測(cè)器作為光纖通訊系統(tǒng)、紅外成像系統(tǒng)、激光警告系統(tǒng)和激光測(cè)距系統(tǒng)等的重要組成部分，在民用和軍用方面都得到了廣泛的應(yīng)用。目前廣泛使用的光電探測(cè)器主要有探測(cè)400nm～1100nm波長(zhǎng)的硅光電探測(cè)器和探測(cè)大于1100nm波長(zhǎng)的InGaAs近紅外光電探測(cè)器。其中Si-PIN光電探測(cè)器具有響應(yīng)速度快、靈敏...
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