技術(shù)編號：12614291
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制備領(lǐng)域，特別涉及一種隱形切割制備正、倒和倒梯形臺狀襯底的LED芯片的方法。背景技術(shù)自上世紀(jì)90年代以來，GaN基LED引起廣泛關(guān)注并取得了迅猛的發(fā)展。LED具有波長可調(diào)、輕便靈活、能耗低、工作電壓低、定向發(fā)光、無污染、壽命長、響應(yīng)時(shí)間快等顯著優(yōu)勢，在白光照明、可見光通信、聚合物固化、殺菌消毒等方面有著巨大的市場價(jià)值或潛在應(yīng)用價(jià)值。LED的發(fā)光效率主要受兩方面因素的影響。一是內(nèi)量子效率，即將注入的電能轉(zhuǎn)化為光能的效率，主要取決于半導(dǎo)體材料的外延質(zhì)量和外延結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)。二是光提取效率...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。