技術(shù)編號：12635319
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及二維納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種五氧化二釩微米級薄膜及其制備方法。背景技術(shù)五氧化二釩(V2O5)是一種常見的功能性過渡金屬氧化物，包括用于超級電容器、催化劑、搪瓷和磁性材料等等。近幾年，因其在電化學方面的杰出性能，包括高速充放電性能、可測電壓范圍廣、良好的循環(huán)耐久性、優(yōu)良的電化學可逆性、高度的穩(wěn)定性且廉價和易制備等優(yōu)點，五氧化二釩越來越多的被用作超級電容器材料。五氧化二釩的電容性主要取決于電荷存儲過程，這通常發(fā)生在幾納米的表面上。因此，人們高度期望能獲得一種基于五氧化二釩的材料，...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。