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      一種制備高度取向聚偏二氟?三氟乙烯共聚物薄膜的方法與流程技術(shù)資料下載

      技術(shù)編號(hào):12679095

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      一種制備高度取向聚偏二氟-三氟乙烯共聚物薄膜的方法技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬于電子材料和器件技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種制備高度取向聚偏二氟-三氟乙烯(P(VDF-TrFE))的方法。背景技術(shù)近年來(lái)基于鐵電聚合物的鐵電存儲(chǔ)器件引起越來(lái)越多的關(guān)注。為了降低器件功耗和工作電壓,通常要求鐵電膜越薄越好,比如膜厚小于100nm,然而隨著薄膜厚度的增加,鐵電聚合物薄膜結(jié)晶度降低、漏電流增加、抗擊穿性能退化,從而導(dǎo)致最終鐵電存儲(chǔ)器件性能劣化。經(jīng)由模板法實(shí)現(xiàn)鐵電聚合物薄膜的外延生長(zhǎng)是獲得高質(zhì)量鐵電聚合物薄膜的理想方法。前期申...
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