技術(shù)編號：12680837
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。低關(guān)斷損耗的SOI-LIGBT器件結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體的說涉及一種低關(guān)斷損耗的SOI-LIGBT器件結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)高壓功率器件是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)與核心，其具有耐高壓、導(dǎo)通電流密度大的特點(diǎn)。提高功率器件的耐壓能力，降低功率器件關(guān)斷損耗是設(shè)計器件的關(guān)鍵。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管器件)作為一類重要的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。但是，IGBT器件由于P-body區(qū)與N-漂移區(qū)交界處空穴注入效率較低，載流子濃度分布很低，導(dǎo)致器件的飽和壓降升高，在關(guān)斷時，N-漂移...
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