技術編號：12680964
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及微電子技術領域，尤其涉及一種高壓超結VDMOS。背景技術全超結VDMOS(VerticalDoubleDiffusedMetalOxideSemiconductor，垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應管)的結構，如圖1所示，耐壓層由N柱和P柱交替構成，基于電荷補償原理，電場近似為矩形分布，使BV(BreakdownVoltage，擊穿電壓)只依賴于漂移區(qū)厚度，而與其摻雜濃度無關。全超結耐壓層的摻雜濃度比傳統(tǒng)VDMOS高一個數(shù)量級，同等BV的Ron(OnResistance，導通電阻)比傳...
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