技術(shù)編號(hào):12690541
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及NMOS(N-Metal-Oxide-Semiconductor,N型金屬氧化物半導(dǎo)體)驅(qū)動(dòng)電路,尤其涉及一種應(yīng)用于高邊NMOS的驅(qū)動(dòng)電路。背景技術(shù)現(xiàn)有電路中用于防反接的電路元件主要為串聯(lián)二極管,但是如果在大功率回路中使用防反接二極管時(shí),其功耗變得相當(dāng)可觀。還可以使用NMOS管作為防反接元件,應(yīng)用于大功率電路中時(shí),功耗仍然很低。然而,現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)NMOS管的IC芯片絕大多數(shù)是針對(duì)作為開(kāi)關(guān)電源中的開(kāi)關(guān)MOS管應(yīng)用而設(shè)計(jì)的,其原理多為自舉式、電荷泵式、變壓器耦合式、浮動(dòng)電源式和直接式,基于這些...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路,無(wú)完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。