技術編號：12699168
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種氮化物外延片的生長方法及氮化鎵激光器，屬于光電子技術領域。背景技術氮化鎵材料作為一種新型的半導體材料受到了越來越多的關注。作為第三代半導體的代表性材料，氮化鎵具有優(yōu)異的電學和光學性質，其具有較寬帶隙、直接帶隙的優(yōu)點，耐高溫高壓，電子遷移率高等優(yōu)勢在電子器件和光電子器件等領域中具有廣泛的應用，因此制備高質量的氮化鎵是制備上述器件的關鍵。石墨烯是新型二維納米材料它們的原子之間通過sp2電子軌道鏈接在一起，并且由于石墨烯具有六角密排的原子格位，與氮化物晶體中各層原子的排布情形相同，因此以...
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