技術編號：12724826
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于半導體外延材料的制備技術領域，尤其涉及一種8英寸薄層外延片、均勻性控制方法及應用。背景技術硅外延材料是半導體功率器件的關鍵支撐材料，隨著技術和工藝發(fā)展，盡管新材料層出不窮，但硅材料仍然是半導體行業(yè)的主體。8英寸薄層外延片，主要由單片爐生產(chǎn)，使用紅外線加熱技術，具有升溫快、溫區(qū)均勻、沉積速率快等特點。隨著工藝技術發(fā)展和降低成本的要求，硅外延材料已由原來的5英寸、6英寸發(fā)展至8英寸和12英寸。隨著尺寸擴大，均勻性控制要求也越來越高，理論上，外延片均勻性要求越低越好，見圖3示。對于8英寸薄層...
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