技術(shù)編號(hào):12725004
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及應(yīng)用于集成電路芯片的功率器件,尤其是一種高耐壓能力的功率器件及其工藝方法。背景技術(shù)隨著無(wú)線通信和雷達(dá)探測(cè)等領(lǐng)域的快速發(fā)展,現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)微波功率器件的工作電壓和功率密度等方面提出更高的要求。因此,現(xiàn)階段的功率器件往往需要追求更高耐壓性能和更快的電子遷移率。而寬禁帶半導(dǎo)體材料不僅能滿足以上兩點(diǎn),還具備出色的高頻性能和功率品質(zhì)因子,因而成為高頻大功率器件的首選。傳統(tǒng)的功率器件包括半導(dǎo)體材料層,位于半導(dǎo)體材料層上的源極歐姆接觸,和漏極歐姆接觸,覆蓋所述源極歐姆接觸、所述漏極歐姆接觸和所述半導(dǎo)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。