技術(shù)編號(hào):12725350
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,特別是指一種MOS器件的柵氧化層結(jié)構(gòu),本發(fā)明還是涉及所述MOS器件的柵氧化層結(jié)構(gòu)的工藝方法。背景技術(shù)目前半導(dǎo)體制造技術(shù)中常用的CMOS結(jié)構(gòu)如圖1所示,圖中包括:1.硅襯底,2.場(chǎng)氧化層(STI或LOCOS),3.柵氧化層,4.多晶硅柵極,5.柵極氮化硅硬質(zhì)掩膜,6.柵極多晶硅側(cè)壁氧化硅,7.絕緣介質(zhì)側(cè)墻(氮化硅或氧化硅),8.輕摻雜漏(LDD),9.源漏極注入,10.接觸孔。MOS器件的閾值電壓、驅(qū)動(dòng)能力以及耐壓等基本特性與器件的溝道長(zhǎng)度、柵極氧化硅的厚度以及輕摻雜漏的...
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