技術(shù)編號(hào)：12725432
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)，尤其涉及一種改進(jìn)型P型PERC雙面太陽(yáng)能電池，還涉及該改進(jìn)型P型PERC雙面太陽(yáng)能電池的制備方法。背景技術(shù)晶硅太陽(yáng)能電池是一種有效吸收太陽(yáng)輻射能，利用光生伏打效應(yīng)把光能轉(zhuǎn)換成電能的器件。當(dāng)太陽(yáng)光照射在半導(dǎo)體P-N結(jié)上時(shí)，會(huì)形成新的空穴-電子對(duì)，在P-N結(jié)電場(chǎng)的作用下，空穴由N區(qū)流向P區(qū)，電子由P區(qū)流向N區(qū)，接通電路后就形成電流。傳統(tǒng)的晶硅太陽(yáng)能電池一般只采用正面鈍化技術(shù)，在硅片的正面使用PECVD方式沉積一層氮化硅，降低少子在前表面的復(fù)合速率，可以大幅度提升晶硅太陽(yáng)能電...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。