技術(shù)編號：12725945
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種實現(xiàn)多值存儲的阻變存儲器制備方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體存儲器，根據(jù)其掉電是否能夠保持存儲信息，可以分為兩類：揮發(fā)性存儲器和非揮發(fā)性存儲器。隨著便攜式電子設(shè)備的普及，非揮發(fā)存儲器在存儲器市場中的份額也越來越大。雖然當(dāng)前FLASH技術(shù)是非揮發(fā)存儲器市場的主流，但隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點的推進(jìn)，F(xiàn)LASH技術(shù)正遇到一系列的瓶頸問題比如操作電壓大，尺寸無法縮小，保持時間不夠長等。有報道稱FLASH技術(shù)的極限在16nm左右，科學(xué)界和工業(yè)界正在尋找一種可以替代FLASH的下一...
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