技術(shù)編號：12737502
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于OLED器件領(lǐng)域，具體涉及一種有機電致發(fā)光器件。背景技術(shù)有機電致發(fā)光器件包括陽極層、有機發(fā)光功能層和第二電極層；所述有機發(fā)光功能層包括空穴注入層、空穴傳輸層、有機發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。由于陰極與有機電子傳輸層的界面之間存在著較大的電子注入勢壘，為了提高電子和空穴之間的平衡性，在電子注入層和陰極之間引入絕緣緩沖層，如LiF層(0.5nm)，引入后，勢壘降低，電子注入能力明顯改善，驅(qū)動電壓下降，發(fā)光效率提高。但是LiF蒸發(fā)溫度高(620～640℃)，Li離子滲透容易導致淬滅發(fā)光，...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。