技術編號：12838522
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種透明導電薄膜，特別是涉及到一種銀納米線復合薄膜的封裝制備方法。背景技術目前，銀納米線因為獨特的光、電物理性能，而具有廣泛的應用前景，如薄膜太陽能電池、觸摸屏顯示、發(fā)光二極管、柔性薄膜顯示器等。此外，銀納米線具有優(yōu)異的導電性能、較強的吸附能力、良好的生物相容性等其他材料無法比擬的特殊性質，而被用來制備透明導電薄膜，替代傳統(tǒng)的氧化銦錫(ITO)透明電極材料。傳統(tǒng)的氧化銦錫因使用量逐漸加大，而氧化銦錫的礦石儲量不夠豐富，造成成本價格年年上升。在使用氧化銦錫制備透明電極時，往往會由于彎曲折...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。