技術編號：12857427
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料技術領域，具體涉及一種具有協(xié)同效應的核殼結構LiRE1F4:Yb,RE2,Cd@LiRE1F4上轉(zhuǎn)換熒光納米材料及其制備方法。背景技術稀土發(fā)光納米材料的發(fā)光主要是基于稀土離子由高能級躍遷到低能級的輻射發(fā)光。而隨著納米材料的粒徑逐漸減小，比表面積逐漸增大，表面效應增強，表面效應對發(fā)光納米材料的發(fā)光影響顯著。由于比表面積增大，使得處于納米顆粒面的原子的配位數(shù)不足，顆粒表面產(chǎn)生大量的不飽和鍵、空位、缺陷等，形成發(fā)光的猝滅中心；表面效應增加，處于納米顆粒表面附近的發(fā)光中心(摻雜離...
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