技術(shù)編號：12904860
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。：本發(fā)明屬于化學(xué)傳感器領(lǐng)域，尤其是涉及性能穩(wěn)定的EGFET形式pH傳感器及其簡便快捷制備工藝。背景技術(shù)：1970年的第一個離子敏感場效應(yīng)晶體管(ISFET)被用于傳感器。隨后利用化學(xué)敏感膜沉積在場效應(yīng)晶體管(FET)柵電極延伸的信號線端部的擴展柵場效應(yīng)晶體管(EGFET)開始發(fā)展。EGFET相比于ISFET具有許多優(yōu)點，如對溫度和光的不敏感、長期穩(wěn)定性高、對材料和形狀的限制較低、傳感材料不局限于無缺陷絕緣體。氮化鎵(GaN)納米織構(gòu)由于具有比表面積較高、載流子遷移率較高以及熱力學(xué)和化學(xué)穩(wěn)定性強等...
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