技術編號：1539735
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明大體涉及在半導體晶片加工中使用的化學組合物，特別是涉及可以除去光致抗蝕劑的等離子體灰化后的殘留物的化學組合物。本發(fā)明特別涉及一種可以除去半導體晶片上的殘留物的化學組合物，所述半導體晶片具有化學上不穩(wěn)定的銅布線和低介電常數、超低介電常數層間絕緣膜。背景技術 近年來，伴隨著半導體晶片的微細化，推動了下述半導體晶片的開發(fā)，所述半導體晶片為了降低布線電阻，在布線材料中使用銅，為了降低布線間容量，使用了介電常數為3.0或其以下的低介電常數層間絕緣膜(low-k...
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