技術編號：1732341
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于納米纖維的制備領域，特別涉及一種含Ti02/Sn02異質結納米纖維的制備方法。背景技術二氧化鈦是一種寬帶半導體材料，利用能帶結構模型計算的氧化鈦晶體的禁帶寬度為3. OeV (金紅石相)和3. 2eV (銳鈦礦相)。半導體的禁帶寬度Eg越大，則對應產(chǎn)生的光生電子和空穴的氧化-還原電極電勢越高，則制備的TiO2越活潑，也越更容易與其它物質發(fā)生反應。所以二氧化鈦常常被用來光催化降解氣體或者液體中的有機污染物。然而TiO2對環(huán)境中污染物的降解效率不夠高...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。