技術(shù)編號：1834366
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及太陽能電池元件的P型擴(kuò)散層形成組合物、P型擴(kuò)散層的制造方法和太陽能電池元件的制造方法，更詳細(xì)地說，涉及使作為半導(dǎo)體基板的硅基板的內(nèi)部應(yīng)カ減小、能夠抑制晶粒間界的損傷、抑制結(jié)晶缺陷增長和抑制翹曲的P型擴(kuò)散層形成技木。背景技術(shù)對以往的硅太陽能電池元件的制造エ序進(jìn)行說明。首先，為了促進(jìn)光封閉效果而實現(xiàn)高效率化，準(zhǔn)備形成了紋理結(jié)構(gòu)的P型硅基板，接著，在氧氯化磷(POCl3)、氮氣、氧氣的混合氣體氣氛中在800 900°C下進(jìn)行數(shù)十分鐘的處理，在基板上均勻...
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