技術(shù)編號：18515184
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及MEMS傳感器領(lǐng)域，具體涉及一種低成本高一致性壓力傳感器芯片制備方法。背景技術(shù)MEMS壓力傳感器芯片的傳統(tǒng)制備方法是通過KOH、TMAH等堿性溶液腐蝕背腔100，達到指定深度后停止腐蝕，得到的硅薄膜作為敏感膜200(如圖1所示)。這種制備方法存在一些缺陷，如：由于堿液腐蝕的平整度直接決定了敏感膜的厚度均勻性，因此，背腔腐蝕需要進行三種堿液的配比，分別對應(yīng)粗腐、速腐、精腐，越接近指定深度時，腐蝕速率越慢，以控制精度，由此導(dǎo)致制作周期長，時間成本高，而且敏感膜存在腐蝕不均勻現(xiàn)象，批量產(chǎn)品一...
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