技術編號：1958609
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體工藝，特別是一種使用硼或磷對未摻雜玻璃進 行摻雜的表面處理方法。背景技術在半導體工藝中，硅蝕刻時可使用硼或磷對未摻雜硅玻璃(USG)摻 雜作為硬遮蔽層(hard-mask)以提高關鍵性尺寸，但當摻雜USG超薄薄 膜(film)暴露在空氣中吸收游離水分后，易生成硼酸或磷酸，也就是說 使用硼或磷摻雜未摻雜硅玻璃工藝中存在硼磷氣體外釋的問題。當前技術中解決使用硼或磷摻雜未摻雜硅玻璃工藝中存在硼磷氣體 外釋問題的方法，主要是在使用硼或磷對未摻雜...
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