技術編號：1985627
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及ー 種可用于EUV光刻的摻雜ニ氧化鈦的石英玻璃及其制造方法。背景技術在生產半導體器件的先進光刻エ藝中，通常使用波長較短的光源來進行曝光。向使用極紫外(EUV)的光刻的后續(xù)轉變被視為是有希望的。由于EUV光刻使用反射光學系統(tǒng)，因此光刻的精確性可不利的受到光刻光學系統(tǒng)中的每ー個構件(例如襯底)的輕微熱膨脹的影響，所述輕微熱膨脹由到達的熱所引起。因此，構件如反射鏡、掩模和平臺等均必須由低膨脹材料制造。已知摻雜ニ氧化鈦的石英玻璃是ー種典型的低膨脹材料。添...
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