技術(shù)編號：2679918
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體裝置的制造過程中使用的曝光裝置、該曝光裝置中的反射鏡和反射型掩模、以及圖案形成方法。背景技術(shù) 隨著半導(dǎo)體集成電路的高度集成化和半導(dǎo)體元件的小型化，要求刻蝕技術(shù)的快速發(fā)展。目前，在平版印刷技術(shù)中，以汞燈、KrF受激準(zhǔn)分子激光器或ArF受激準(zhǔn)分子激光器等作為曝光用光進行圖案的形成。并且，為了形成圖案寬度為0.1μm以下特別是70nm以下的微細(xì)的圖案，正在探討波長比所述曝光用光更短的F2激光(波長157nm區(qū)域)等真空紫外線或極紫外線(EUV波...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。