技術(shù)編號(hào):2681439
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種,更具體地講,涉及一種通過在形成通孔后紫外線輻照,以完全防止在通孔內(nèi)壁生成光刻膠殘余物的金屬間介電層構(gòu)成圖形方法。2.背景技術(shù)在許多半導(dǎo)體器件制造過程中,雙重鑲嵌法在構(gòu)成圖形金屬電路方面的需求增大,圖1例舉說明了其常規(guī)方法。在該方法中,將雙介電層,即上層和下層介電層,涂布在曝光的下層電路的半導(dǎo)體基底上,形成通過下層介電層連接上層電路和下層電路的通孔,并在介電層上形成上層電路圖形后,在圖形中填入金屬形成產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。令通過上述方法獲得的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)經(jīng)歷...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。