技術編號：2681828
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體領域中的掩模還料(mask blank)用基板的制造方法、掩模還料的制造方法、轉(zhuǎn)印用掩模的制造方法以及半導體器件的制造方法。背景技術伴隨著近年來的半導體器件的微細化，光刻技術中所使用的曝光光源的短波長化在不斷進展。在透射式光刻的前端領域中，使用波長為200nm以下的ArF準分子激光(波長193nm)作為曝光光源?？墒?，微細化的要求進一步提高，難以只通過將ArF準分子激光作為曝光光源來加以解決，通過由斜入射照明法等實現(xiàn)的高NA化來謀求解決。但...
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