技術(shù)編號：2696727
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，其中陣列基板的制作方法包括在用于制作陣列基板的玻璃基板上形成有源層后，在該玻璃基板上沉積氧化銦錫(ITO)，并通過相應(yīng)的掩膜工序形成第一透明導(dǎo)電層，第一透明導(dǎo)電層作為像素電極，且第一透明導(dǎo)電層還搭接在有源層上作為薄膜晶體管(TFT)的漏極；在形成有第一透明導(dǎo)電層的玻璃基板上沉積金屬薄膜，并通過相應(yīng)的掩膜工序形成TFT的源極。通過本發(fā)明，能夠進(jìn)一步提高基于高開口率邊緣電場切換(H-ADS)的陣列基板的像素(Pi...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。