技術(shù)編號(hào)：2723123
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及圖形形成方法以及利文森(levenson)型掩模的制造方法。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體集成電路等的半導(dǎo)體裝置中，存在在形成電極或者布線等中使用光刻技術(shù)的情況。在光刻法步驟中，進(jìn)行曝光步驟，通過(guò)光掩模在抗蝕劑上以預(yù)定的形狀曝光?？刮g劑例如以感光樹(shù)脂形成，通過(guò)曝光步驟后進(jìn)行顯影，成型為預(yù)定的形狀。曝光步驟中使用的掩模具有透光部以及遮光部。為了提高分辨率，在光致掩模上具有使透過(guò)透光部的光的相位發(fā)生變化的相移掩模。相移掩模上包含利文森型掩?；蛘甙肷{(diào)型掩模。這些...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。