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      衰減極端紫外相移掩模的制造方法技術(shù)資料下載

      技術(shù)編號:2734142

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      通常,本發(fā)明涉及集成電路的領(lǐng)域和制造集成電路和掩模(mask)或用來制造這些器件的光柵(reticles)的方法。更具體地,本發(fā)明涉及可同時用于器件基片(substrate)和掩?;挠惭谀?hard mask)生成的光子輔助沉積方法(photon assisted deposition)。背景技術(shù) 半導(dǎo)體器件或集成電路(ICs)可能包括上百萬個如晶體管之類的器件。而超大規(guī)模集成(ULSI)電路則可能包括互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)場效應(yīng)管(FET)...
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