技術(shù)編號(hào)：2737347
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于加工抗蝕劑下層膜的硬掩才莫組合物以及 一種使用該硬掩模組合物來生產(chǎn)半導(dǎo)體集成電路器件的方法。更具 體地，本發(fā)明涉及一種用于加工抗蝕劑下層膜的硬掩模組合物，其 表現(xiàn)出優(yōu)異的膜特性和良好的儲(chǔ)存穩(wěn)定性，由于其令人滿意的硬掩 模特性而可以將良好的圖案轉(zhuǎn)移到材料層，并且具有對(duì)在用于圖案化的后續(xù)蝕刻的o2等離子體氣體的改善的蝕刻抗性。背景技術(shù)為了在大多數(shù)光刻工藝中獲得更佳的分辨率，使用抗反射涂層(ARC )材料來使抗蝕劑材料層和基板之間的反射率最小。...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。