技術編號：2775721
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及在制造半導體裝置等的步驟中為了形成有良好形狀的刻蝕圖形而對以預定圖形對用作刻蝕掩模的抗蝕劑膜進行曝光時的最佳曝光條件進行設定的曝光條件設定方法、以及為了執(zhí)行該曝光條件設定方法所用的襯底處理裝置和計算機程序。背景技術 在具有嵌入式結構等多層布線結構的半導體裝置的制造工藝中，例如，在層間絕緣膜上形成抗蝕劑膜，以用預定圖形對抗蝕劑膜進行曝光、顯影后所形成的抗蝕劑圖形作為刻蝕掩模，對層間絕緣膜進行等離子體刻蝕，進行層間絕緣膜的構圖。另外，在光掩模的制作中...
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