技術編號：2778957
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種集成電路制造光刻工藝，特別涉及一種。背景技術 目前用KrF 248nm(NA＝0.7)的光刻機曝0.15um以及以下的孔，通常的光刻成像流程如下涂膠-----→軟烘烤---→一次曝光---→照后烤---→顯影---→硬烤(如附圖1所示)。如果用低數(shù)值孔徑的KrF光刻機(ASML PAS5000 750E)6％Att.PSM(Phase Shift Mask)衰減型相移光罩，通常一次曝光的光刻工藝只有0.3um的聚焦深度，很難用于量產(chǎn)。通常人們...
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