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      利用普通紫外光深刻層光刻的分離曝光工藝方法技術(shù)資料下載

      技術(shù)編號:2780655

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      本發(fā)明屬于濕法刻蝕中的光刻,涉及到對微電子集成電路、集成光路等制備微細(xì)結(jié)構(gòu)的光刻工藝方法的改進。目前國際上用于微細(xì)結(jié)構(gòu)加工技術(shù)的光刻工藝主要有兩種。第一種是采用常規(guī)的濕法刻蝕如圖1所示包括(1)樣品的清洗;(2)光刻膠的旋涂;(3)前烘、光刻、曝光;(4)顯影、固化、最后腐蝕。光刻時通常采用UV光作光源,也可以用DUV光,X光等作光源,如1980年初德國卡爾斯魯爾核研究中心開發(fā)而成的LIGA技術(shù)就是利用同步輻射X光作深層光刻。第二種方法是干法刻蝕。上述制作...
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