技術(shù)編號：2781686
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種減少掩模缺陷的蝕刻工藝，尤其涉及一種清除光致抗蝕劑層的蝕刻工藝。背景技術(shù) 隨著半導(dǎo)體工藝的線寬需求的不斷縮小，MOS晶體管等的各式元件的尺寸也不斷地朝向微型化發(fā)展，然而目前半導(dǎo)體工藝的線寬受限于現(xiàn)有的曝光、蝕刻機臺以及感光材料的限制幾乎已發(fā)展至瓶頸的情況，尤其是對于在同一反應(yīng)室進行蝕刻工藝，稱為原位蝕刻(in-situ etch)工藝，因此如何減少掩模層缺陷(mask type defect)來提升后續(xù)蝕刻工藝的準(zhǔn)確性已成為目前半導(dǎo)體中的一重...
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