技術(shù)編號(hào)：2798567
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是關(guān)于集成電路及其制造方法，尤指產(chǎn)生相移位圖案以改善閘極、區(qū)域、結(jié)構(gòu)以及需要次名義尺寸(sub-nominal dimension)膜層(layer)的圖案化。背景技術(shù) 半導(dǎo)體裝置或集成電路可包含有多數(shù)的裝置，例如晶體管。特大規(guī)模集成電路(Ultra-large ULSI)可包含有互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體(CMOS)場效應(yīng)晶體管(FET)。盡管公知的系統(tǒng)與制造得于單一IC上制造多數(shù)的IC裝置，其仍需要減少該IC裝置形體的尺寸，因而得以增加單一IC上的裝置數(shù)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。